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"올해 말 D램 생산 35%가 HBM"
파이낸셜뉴스 2024.05.21 11:09 댓글0
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| 삼성전자가 업계 최초로 개발한 36GB 용량의 'HBM3E' 12단. 삼성전자 제공 |
[파이낸셜뉴스] 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 메모리반도체 3사가 올 연말까지 D램 선단공정 웨이퍼 투입량의 35%를 인공지능(AI)용 고대역폭메모리(HBM)에 쓸 것이란 전망이 나왔다.
20일 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 3사는 선단공정용 웨이퍼 투입을 늘리고 있다. 메모리 업계는 글로벌 AI 성장세와 맞물려 수요가 크게 늘고 있는 HBM 매출 비중을 키우는데 주력하고 있다.
HBM은 통상 일반 D램 가격의 5배를 웃돌 만큼 수익성이 높다. 3사는 지난해 메모리 재고 해소를 위해 시작한 감산 기조를 이어가고 있지만, HBM은 예외로 두고 생산 규모를 늘리고 있다.
HBM3E(HBM 5세대)가 본격적으로 생산되는 가운데 3사의 실리콘관통전극(TSV) 용량을 기준으로 연말까지 HBM은 선단 공정 웨이퍼 투입량의 35%에 이를 것으로 예측됐다. HBM은 수율(양품 비율)이 50~60% 수준에 불과한데 필요한 웨이퍼 면적도 일반 D램보다 60% 많아 웨이퍼 투입량이 많을 수밖에 없다는 이유다.
트렌드포스는 D램 제조사들은 증설에 신중한 태도를 보이고 있지만, HBM 생산에 집중하며 증설이 충분하게 이뤄지지 않을 경우 용량 제약으로 D램 공급이 부족해질 수 있다고 분석했다.
트렌드포스는 "올해 안에 HBM3E가 HBM 시장의 주류로 자리 잡으면서 하반기에 출하량이 집중될 것"이라며 "메모리 성수기와 맞물려 하반기에 더블데이터레이트(DDR)5, 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5X 등에 대한 시장 수요도 증가할 것"이라고 전망했다.
#반도체 #메모리 #웨이퍼
mkchang@fnnews.com 장민권 기자
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