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몇십억원에 수십조원 기술 팔아넘긴 삼전·하이닉스 전직 직원들
파이낸셜뉴스 2025.12.23 16:28 댓글0
산업기술보호법 위반 혐의 적용
[파이낸셜뉴스] 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체의 반도체 공정 기술을 중국 업체에 빼돌린 혐의를 받는 전 삼성전자 임원 등 10여명이 재판에 넘겨졌다. 이들은 퇴직 당시 연봉의 최대 4배, 수십억원의 금품을 대가로 중국 업체에 국가핵심 기술을 넘겼다. 이로 인해 삼성전자 등 국내 업체가 입은 피해액만 수십조원에 달할 것으로 추산된다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외유출 등) 혐의로 중국 D램 반도체 회사인 창신메모리(CXMT)의 개발 인력 5명을 구속 기소하고 또 다른 5명을 불구속 기소했다고 23일 밝혔다. 이들 10명 중 대부분은 삼성전자 임직원 출신 기술자다.
검찰에 따르면 이들은 2016년 9월부터 삼성전자의 당시 최신 기술인 10나노대 D램의 공정 정보를 불법으로 유출한 혐의를 받는다. 이 기술은 삼성전자가 약 1조6000억원을 투입해 만든 것이다. CXMT는 2016년 5월 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자한 중국 유일의 D램 제조 업체다. CXMT는 삼성전자에서 빼돌린 기술을 발판으로 중국 최초이자 세계에서 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다. 또 10나노대 D램을 수직으로 쌓아 올려 만드는 고대역폭 메모리(HBM)를 개발할 수 있는 기반까지 마련했다 게 검찰의 설명이다. 삼성전자는 지난해 5조원 상당의 매출 감소 피해를 입은 것으로 알려졌다.
삼성전자의 10나노대 D램 기술은 개발팀 1기와 2기로 나뉘어 유출됐다. 삼성전자 부장 출신으로 CMXT에서 1기 개발팀을 총괄한 A씨는, 지난해 1월 구속 기소돼 2심에서 징역 6년을 선고받고 상고심 재판 중에 이날 추가 기소됐다. A씨는 CXMT의 위장 회사에 입사했고, 중국 입국 시 인근 도시를 경유하는 등 한국의 수사망을 피하기 위해 치밀하게 움직인 것으로 조사됐다.
A씨와 함께 1기팀에서 범행을 저지른 삼성전자 연구원 출신 B씨는 2016년 9월 CXMT로 이직하며 삼성전자의 당시 최신 기술을 종이에 자필로 베껴 적어 유출한 것으로 조사됐다. 이들은 퇴직·내부 문제 등으로 나간 직원들을 대상으로 영입리스트를 작성했다. 이들을 비롯해 기소된 피의자들은 최고실장급의 경우 최대 30억원의 연봉을 제시받았고, 적게는 퇴직 당시 받은 연봉의 2~4배까지 약속받았던 것으로 드러났다.
검찰은 A씨가 반도체 제조 장비의 기술을 유출한 사건을 수사하던 도중 A씨가 삼성전자의 핵심 기술을 유출·취득한 정황을 발견하고 지난해 1월 직접 수사에 착수했다. 수사를 통해 복수의 삼성전자 연구원이 기술 유출 등을 위해 CXMT로 이직했고, SK하이닉스의 핵심 기술마저 유출된 사실 등을 확인했다.
검찰 관계자는 "국외에서 이뤄진 범행의 경우 물증 확보가 사실상 불가능해 관련자들에 대한 적절한 처벌이 이뤄지지 않고 있다"며 "국가 경제와 기술 안보에 직접 영향을 미치는 국가핵심기술 국외 유출 범죄에 엄정 대응할 것"이라고 전했다.
kyu0705@fnnews.com 김동규 기자
Copyrightⓒ 파이낸셜뉴스. 무단전재 및 재배포 금지.
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| 연합뉴스 |
[파이낸셜뉴스] 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 업체의 반도체 공정 기술을 중국 업체에 빼돌린 혐의를 받는 전 삼성전자 임원 등 10여명이 재판에 넘겨졌다. 이들은 퇴직 당시 연봉의 최대 4배, 수십억원의 금품을 대가로 중국 업체에 국가핵심 기술을 넘겼다. 이로 인해 삼성전자 등 국내 업체가 입은 피해액만 수십조원에 달할 것으로 추산된다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(김윤용 부장검사)는 산업기술보호법 위반(국가핵심기술국외유출 등) 혐의로 중국 D램 반도체 회사인 창신메모리(CXMT)의 개발 인력 5명을 구속 기소하고 또 다른 5명을 불구속 기소했다고 23일 밝혔다. 이들 10명 중 대부분은 삼성전자 임직원 출신 기술자다.
검찰에 따르면 이들은 2016년 9월부터 삼성전자의 당시 최신 기술인 10나노대 D램의 공정 정보를 불법으로 유출한 혐의를 받는다. 이 기술은 삼성전자가 약 1조6000억원을 투입해 만든 것이다. CXMT는 2016년 5월 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자한 중국 유일의 D램 제조 업체다. CXMT는 삼성전자에서 빼돌린 기술을 발판으로 중국 최초이자 세계에서 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공했다. 또 10나노대 D램을 수직으로 쌓아 올려 만드는 고대역폭 메모리(HBM)를 개발할 수 있는 기반까지 마련했다 게 검찰의 설명이다. 삼성전자는 지난해 5조원 상당의 매출 감소 피해를 입은 것으로 알려졌다.
삼성전자의 10나노대 D램 기술은 개발팀 1기와 2기로 나뉘어 유출됐다. 삼성전자 부장 출신으로 CMXT에서 1기 개발팀을 총괄한 A씨는, 지난해 1월 구속 기소돼 2심에서 징역 6년을 선고받고 상고심 재판 중에 이날 추가 기소됐다. A씨는 CXMT의 위장 회사에 입사했고, 중국 입국 시 인근 도시를 경유하는 등 한국의 수사망을 피하기 위해 치밀하게 움직인 것으로 조사됐다.
A씨와 함께 1기팀에서 범행을 저지른 삼성전자 연구원 출신 B씨는 2016년 9월 CXMT로 이직하며 삼성전자의 당시 최신 기술을 종이에 자필로 베껴 적어 유출한 것으로 조사됐다. 이들은 퇴직·내부 문제 등으로 나간 직원들을 대상으로 영입리스트를 작성했다. 이들을 비롯해 기소된 피의자들은 최고실장급의 경우 최대 30억원의 연봉을 제시받았고, 적게는 퇴직 당시 받은 연봉의 2~4배까지 약속받았던 것으로 드러났다.
검찰은 A씨가 반도체 제조 장비의 기술을 유출한 사건을 수사하던 도중 A씨가 삼성전자의 핵심 기술을 유출·취득한 정황을 발견하고 지난해 1월 직접 수사에 착수했다. 수사를 통해 복수의 삼성전자 연구원이 기술 유출 등을 위해 CXMT로 이직했고, SK하이닉스의 핵심 기술마저 유출된 사실 등을 확인했다.
검찰 관계자는 "국외에서 이뤄진 범행의 경우 물증 확보가 사실상 불가능해 관련자들에 대한 적절한 처벌이 이뤄지지 않고 있다"며 "국가 경제와 기술 안보에 직접 영향을 미치는 국가핵심기술 국외 유출 범죄에 엄정 대응할 것"이라고 전했다.
kyu0705@fnnews.com 김동규 기자
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