하스

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파이링11 조회163

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이번 기업설명회는 AI 반도체 유리기판 성과 발표가 담길 것입니다,.

1. AI 반도체 및 첨단 패키징용 유리기판 핵심 소재의 국산화:
2. 극자외선(EUV) 반도체 검사장비용 극저열팽창 유리 소재 개발

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기업설명회(IR) 개최

1. 일시 행사일 시간(현지시간)

시작일 종료일 시작시간 종료시간
2025-06-12 2025-06-13 09:00 18:00

2. 장소 서울 여의도

3. 대상자 국내 기관투자자 및 애널리스트

4. 실시목적 회사에 대한 투자자 이해 증진 및 기업가치 제고

5. 실시방법 - NDR(Non-Deal Roadshow)
- 1:1 및 그룹미팅

6. 주요내용 주요 경영현황 설명 및 질의 응답

7. 후원기관 IR 큐더스

8. 개최확정일 2025-06-11

9. 담당자 담당부서(담당자) IR/공시팀(김흥식 실장)
전화번호(팩스번호) 070-4335-3944(02-2083-1366)
10. IR 자료게재 게재일시 2025년 6월 12일
게재장소 - 설명회 당일 현장 배포
- 한국거래소 상장공시시스템 홈페이지 (http://kind.krx.co.kr/)
- 당사 홈페이지 IR 자료실 (https://hassbio.irpage.co.kr/)

하스 자율공시 1.

기타 경영사항(자율공시)

1. 제목	[국책과제 선정] 소재부품기술개발사업
2. 주요내용	당사는 산업통상자원부 산하 "한국산업기술기획평가원" 사업 주관연구기관으로 선정되었으며, 주요 내용은 아래와 같습니다. 1. 사업명: 소재부품기술개발사업 - 이종기술융합형 2. 연구개발과제명: 극자외선반사경용 LAS계 극저열팽창 결정화 유리 개발 3. 협약일(확정일): 2024년 08월 22일 4. 수행기간: 2024년 07월 01일 ~ 2028년 12월 31일(54개월) 5. 연구기관: (주)하스 외 4개 공동연구개발기관 6. 총연구개발비: 8,850,600,000원 - 정부지원연구개발비: 7,400,000,000원 - 당사분 정부지원연구개발비: 3,540,000,000원 - 당사자기자본: 43,666,194,224원 - 자기자본 대비 정부지원연구개발비 비율: 8.1% 7. 목표: 극자외선(EUV)적용 반도체 검사장비용 반사광학계에 탑재되는 극저열팽창계수 및 균질성을 갖는 고내구성의 산화물 결정화 유리 소재 제조 및 평가기술 내재화 8. 기대효과: - 고부가가치 세라믹기반 광학소재부품 국산화에 대한기술 내재화 - High-N.A EUV 노광장비의 본격적인 상용화 시기 도래 및 주요 선진국의 반도체 패권 경쟁 등의 환경으로 인한 수요 급증에 대응 - 고부가가치 선진국형 광학산업 생태계 조성 가능 - 반도체 광학산업 활성화에 따른 우주.항공분야 등 광학산업 기술력 확대 - 국내의 반도체 핵심 부품 국산화를 바탕으로 국내 반도체 장비 제조 사업의 활성화 및 제조장비 국산화가 가능한 사회로 패러다임 전환 가능
3. 결정(확인)일자	2024-08-22
4. 기타 투자판단에 참고할 사항
- 상기 결정(확인)일자는 전자협약 서명완료일 입니다. - 상기 '2. 주요내용'의 '당사자기자본'은 최근 사업연도말(2023년말) 자기자본에 공시제출 일까지 자본금 및 자본잉여금 증감을 반영하였습니다.

자율공시 2

1. 제목		[국책과제 선정]
2. 주요내용		당사는 산업통상자원부 산하 "한국산업기술기획평가원"사업 주관 연구기관으로 선정되었으며, 주요 내용은 아래와 같습니다. 1. 사업명: 소재부품기술개발(R&D) 사업 - 패키지형 2. 연구개발과제명: Wafer type 알루미노규산염 유리 기판 제조 및 광화학반응 기반 10㎛ 이하 Via hole 가공 기술 개발 3. 협약일(확정일): 2024년 8월 14일 4. 수행기간: 2024년 07월 01일~2028년 12월 31일(54개월) 5. 연구기관:(주)하스 6. 총연구개발비: 7,308,917,000원 - 정부지원연구개발비: 5,500,000,000원 - 당사분 정부지원연구개발비: 2,750,000,000원 - 당사자기자본: 15,150,961,744원 - 자기자본 대비 정부지원연구개발비 비율: 18.1% 7. 목표: 두께 0.5 ~ 1.2mm 직경 300 mm 이상의 웨이퍼 유리 가공을 통하여 20GHz 대역폭 이상에서 6 이하의 유전상수(dielectric constant)와 110×10^(-4) 이하의 유전손실을 가지며 노광/화학공정 방식의 직경 10㎛ 이하 Via hole, 종횡비 1/10~1/20 범위의 가공이 가능한 리튬 알루미노규산염(LAS)계 감광성 유리조성 개발 8. 기대효과:반도체 유리 인터포저 시장을 포함하여 각종 모바일기기, 5/6G 기기, 의료기기의 PCB 대체 시장 선점의 교두보 확보
3. 사실발생(확인)일		2024-08-14
4. 결정일		2024-08-14
- 사외이사 참석여부	참석(명)	-
	불참(명)	-
- 감사(사외이사가 아닌 감사위원) 참석여부		-
5. 기타 투자판단과 관련한 중요사항
- 상기 결정(확인) 일자는 전자협약 서명 완료일 입니다. - 상기 내용의 자기자본은 최근 사업연도말 재무제표 금액입니다.