오션브릿지
剋日 수혜주!
샤프진
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성장성 확보된 바닥권 우량 스몰캡!
케미칼 제품 다변화로 성장 지속
지난해 영업이익173억 (자본금48억)
2019년 예상 영업이익 210억.
올해부터 신공장 증설로 성장 본격화.
반도체 케미칼 소재·장비 생산사업 영위
350억 투자..보은 신공장완공 5개 화학소재 생산
반도체 케미칼 소재 및 장비 사업을영위.
지난해 기준 제품별 매출비중은 케미칼이 49%,
장비가 50%로 구분되며, 주 거래처는 SK하이닉스
케미칼 소재 사업은 반도체 생산 과정에서 증착과 식각(화학용액이나
가스를 이용해 필요한 부분만 남기고 나머지 물질을 제거하는 것)
공정에 사용되는 전구체와 특수가스를 생산하죠. 주력제품은
HCDS(절연막)와 TiCl4(축전지, 전극물질) 등이 있습니다.
이외에도 BDEAS(미세패턴 소재), DIPAS(증착용 소재) 등
8개의 케미칼 소재와 특수가스 4개 종류(Si2H6, CF4, HBr,
GeH4)도 보유하고 있습니다. 반도체 업체의 설비투자와 공정미세화로
제품 수요는 지속될 전망입니다.
케미칼사업
Precursor
반도체 소자용 박막,증착(CVD/ALD)용 재료로서, 전구체(Precursor)는
반도체 소자의 초 미세화, 고 집적화에 따라 수반되는 필수 소재로 반도체
소자 제조 시 절연막/금속 배선 등으로 쓰인다.
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HCDS
- 반도체 DRAM과 Nand Flash 메모리 생산 공정에 절연막으로 사용되는 물질
TiCl4
- 반도체 메모리소자의전자를 보관하는 축전지(Capacitor)
전극물질(Electrode Material)
BDEAS
반도체 Dram의 30nm이하의 미세 패턴(Patten)을 구현하기 위한 소재
BTBAS
- 반도체 3D Nand Flash 메모리에 Tox 박막으로 사용되는 소재
DIPAS
- 반도체 Dram의 30nm 이하의 미세 패턴(Patten)을 구현하기 위한
증착용 소재이며
3D Nand Flash 메모리에 Tox 박막으로 사용되는 소재
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CpZr(NMe2)3
- 차세대 반도체 소자 미세화를 구현하기 위한 Capacitor용 ZrO2 High K 소재
TMA
- 반도체 소자의 Capacitor용 AlO2 High K 소재
TEMAHf
- 반도체 소자의 Capacitor용 및 Metal gate용 HfO2 High K 소재
Special Gas
Si2H6
- 디실란 혹은 다이실란으로 불리우며, 특수가수의 일종으로 반도체 제조
공정중 Diffusion(확산) 및 CVD 공정에 사용되는 가스
CF4
- 반도체 제조 공정에서 Polymer 제고를 위해서 Plasma Etch를 하기
위해 사용되는 가스
HBr
- 반도체 제조 공정 중 Plasma Etch 공정 중에 사용되는 가스
(Poly Si 박막을 etching하는 가스로 사용)
GeH4
- 반도체, LCD 및 박막형 태양전지의 실리콘게르마늄(SiGe)막 형성용 가스
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반도체 장비 사업부문의 주력 제품은 CCSS(케미칼 공급장치)와
SSS(슬러리 공급장치)로 SK하이닉스 내 시장점유율은
각각 20%, 60%로 추정됩니다. 설립초기 소재사업으로
시작해 2013년 SSS 납품을 시작으로 장비사업을 추가했죠.
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