동진쎄미켐

동진쎄미켐(005290) 3D NAND용 KrF PR 확대 전망
매일경제 종목리서치 | NH투자 이세철 | 2015-05-12 14:21:03
3D NAND용 KrF PR 확대 전망
동진쎄미켐은 3D NAND향 KrF PR 수요 확대 및 PR(Photo Resist) 소재 증가로
실적 확대 전망. 또한 차세대 PR인 DSA(Directed Self Assembly)도 개발하고 있어
포토 공정 소재 기술 주도 전망
3D NAND 확대로 KrF PR 매출 증가 전망
− 동진쎄미켐은 국내 유일의 반도체 포토 공정용 PR(Photo Resist) 소재 업체로 KrF PR이 주력 상품에 해당
− 통상 PR은 반도체 포토공정에 필름과 같은 역할을 하는 물질로 광원에 따라 각기 다른 PR을 사용
− 현재 주로 미세 공정에는 ArF PR이 사용되나 3D NAND의 경우 계단공정 등에 Kr 용 PR이 이용되고 있음
− 특히 3D NAND가 32단에서 48단으로 변화하면서 계단공정이 50% 이상 증가하게되어 해당 KrF PR 사용량은 증가할 전망
차세대 포토공정용 DSA(Directed Self Assembly) 개발
− 동진쎄미켐은 차세대 Bottom up 방식 포토 공정인 DSA PR도 개발 진행 중.
DSA(Directed Self Assembly)는 고분자 공중합체로 특성이 다른 고분자 간에 자발적으로 패터닝이 되는 구조임
− 향후 EUV나 DPT에 DSA를 병행해서 사용하게 될 경우 미세 패터닝 구현이 용이할 것으로 판단됨
2015년 매출 7,100억원, 영업이익 410억원 전망
− 2015년 동진쎄미켐 매출은 7,100억원, 영업이익은 410억원 전망
− 동진쎄미켐은 향후 3D NAND가 32단에서 48단으로 본격화 될 경우
계단공정 증가에 따른 KrF PR확대로 추가 매출 Upside 전망
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메리츠종금證 “반도체산업, 소재 업체 집중 투자 바람직”
메리츠종금증권은 21일 반도체산업에 대해 삼성전자의 3D 낸드(NAND) 및 파운드리(Foundry) 양산이 본격화되는 만큼 소재 업체에 투자를 집중하는 것이 바람직하다며 투자의견 ‘비중확대(Overweight)’를 추천했다.
먼저 2분기부터는 삼성전자의 3D NAND & Foundry 양산이 본격화될 것이라고 내다봤다.
메리츠종금증권 박유악 연구원은 “SSD가 HDD를 빠르게 대체하면서 삼성전자는 3D NAND 양산을 본격화해 급증하는 SSD 수요 성장을 이끌 전망”이라며 “그 동안 낮은 수율과 내구성, 높은 원가로 양산이 지연됐지만 2분기부터 3D NAND 전용 중국 시안공장이 본격 가동될 것”이라고 설명했다.
이어 “삼성전자의 Foundry 역시 2분기 말부터 본격 가동될 계획”이라며 “4분기까지 신규 가동되는 총 생산량(Capa)만 해도 월 65K 수준으로 큰 폭의 실적 성장이 기대된다”고 덧붙였다.
이에 따라 향후 반도체 소재 업체에 투자를 집중하는 것이 바람직하다고 강조했다.
박 연구원은 “3D NAND 와 Foundry를 포함해 향후 1년간 신규 가동되는 삼성전자의 총 Capa는 SK하이닉스의 D램 총 Capa 수준에 육박할 것”이라며 “소재 업체의 주가 모멘텀이 더욱 큰 만큼 삼성전자 반도체 소재 업체에 투자를 집중하는 것이 유효하다”고 밝혔다.
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삼성전자, 3D NAND 본격 양산으로 SSD 산업 성장 이끌 것
뉴시스 입력시간 : 2015/05/19 14:04:11 수정시간 : 2015/05/19 14:04:12
삼성전자(005930)에 대해 메리츠종금증권은 "3D NAND 본격 양산으로 SSD 산업 성장을 이끌 전망이다. 2H15에는 3D NAND 2차 투자 진행하며 급증하는 SSD 시장 선점에 성공할것으로 판단되어 업종 Top Pick으로 매수 추천을 유지한다"고 전했다.
이와 관련해 박유악 연구원은 "동사는 중국 Xian 공장의 3D NAND를 본격 양산하며, SSD 산업 성장을 이끌 전망이다. 최근 SSD 가격은 HDD의 수요가 급증했던 $0.4/GB 까지 하락했다. 소비자의 Cost 부담과 Performance 이득을 비교하는 ‘시간당 GB당 가격($/GB/Sec)’으로 보면, 4Q15부터는 SSD 가격이 HDD 대비 낮아질 전망"이라고 밝혔다.
한편 박 연구원은 동사의 2분기 3D NAND에 대해서는 "2H15 삼성전자 3D NAND의 양산이 본격화될 전망이다. 그 동안 낮은 수율과 내구성, Planar NAND 대비 높은 원가 등의 이유로 양산이 지연되어 왔지만, 1Q15부터 SSD 생산을 위한 Xian 공장의 가동이 본격화되고 있는 것으로 파악된다. 3D NAND를 포함한 삼성전자 반도체 부문의 실적 성장세가 지속될 전망이며 삼성전자 반도체 부문의 영업이익은 2015년 14.4조원 (+64%YoY), 2016년 17.3조원(+20%YoY)을 기록하며 사상 최대 실적을 지속 경신할 것"이라고 덧붙여 설명했다.
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1분기 '잭팟' SK하이닉스, "올 36단 3D 낸드, 20나노 D램 주력"
비수기 불구 영업익 1조5885억 달성... "3년 연속 사상 최대 실적 달성 청신호"
뉴데일리경제 최종희 기자 프로필보기 || 최종편집 2015.04.23 11:36:45
SK하이닉스의 올 한해 전략은 36단 3D 낸드플래시 비중 확대와 20나노 초반급 D램 양산이다.
SK하이닉스는 24일 열린 올해 1분기 실적발표회에서 36단 3D 낸드플레시를 오는 3분기(7~9월) 중 양산할 계획이라고 밝혔다. 아울러 당분간은 이 제품을 모바일보다 컴퓨터에 들어가는 SSD를 중심으로 적용할 방침이라고 덧붙였다.
메모리반도체는 크게 D램과 낸드(NAND)플래시로 나뉜다. D램은 전원이 꺼지면 데이터가 사리지는 휘발성 메모리인 반면, 낸드는 데이터를 일부러 지우지 않는 이상 없어지지 않는 비휘발성 기억장치다.
SK하이닉스는 이미 지난해 말 24단에 대한 개발을 완료하는 등 3D 낸드플래시에 대한 기술력을 확보한 상태다. 이를 바탕으로 올해 중 36단을 시작으로 연말부턴 48단 제품 양산에 들어가기로 했다.
36단 3D 낸드플레시의 경우 MLC를 중심으로 생산하며 48단은 TLC 구조로 만들 예정이다. 또 올 2분기(4~6월) 말부터는 TLC 제품 비중을 늘리기로 했다. 올 연말까지 전체 제품 가운데 40%를 TLC 구조로 생산한다는 게 SK하이닉스의 목표다.
이렇게 되면 올 3분기 SSD(Solid State Drive) 제품군 중 TLC가 차지하는 비중이 적게는 20%에서 많게는 30%까지 차지한다. SSD는 하드디스크드라이브(HHD)를 대체할 차세대 저장장치다.
낸드의 경우 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀(Cell)을 몇 단까지 쌓을 수 있느냐가 관건이다. 이처럼 셀을 수평이 아닌 수직으로 올리기 때문에 그 형태를 본 따 3D 낸드플래시(V낸드)라고 부른다.
셀을 쌓아올리는 과정 중, 한 단에 1개 셀을 넣으면 SLC(single level cell) 또는 1bit이라고 말한다. 한 단에 셀을 2개로 나눠 집적시키면 MLC(multi level cell) 2bit라고 하며, 3개로 쪼개 쌓으면 TLC(triple level cell)가 된다.
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동진쎄미켐 공시 2015.5.15.
| 연구과제 | 연구결과 및 기대효과 | 비고(제품명) |
|---|---|---|
| Implant/Bump 용 i-line Photoresist 개발 | 삼성전자, 삼성LED, MagnaChip, FairChild Korea 등에 공급 중, 신규 Bump용 thick Nega/Posi PR LB세미콘, 네패스 양산라인 공급중이며 , 삼성전자 LSI에 평가중이며 2015/3Q에 양산라인 공급예정임, 해외(SMIC,JCAP,UAT,Panasonic,ChipPAC)업체에서도 양산평가중, 2015년 2월 UAT에 첫 양산라인 공급중 | DPR-35K,DPR-FS03,DNR-L300,DNR-G20,DNR-G50,DNR-2000L, DNR-4000U |
| Metal/PAD Trim Etch용 KrF Photoresist 개발 | 2014/1Q 부터 삼성 중국 서안공장 및 화성공장에 V-NAND 32/48단 용으로 10억/월 양산라인 공급중, V-NAND 64단 2Q POR 선정 예정 | DHK-BF975,DHK-BF600 SKKA-8670 DHK-1527,DJMP-3198,DJMP-3131 |
| Implant용 KrF Photoresist 개발 | 삼성전자, 삼성전자 중국서안공장 , SK Hynix 반도체, SK Hynix 중국 우시공장 등에 공급 중,D2x급 Posi KrF PR 양산평가 진행 중,매출확대 예상 | DJNF-1224, DHK-BF511,DJKN-1242,DJKR-K7439,DHK-CF50 |
| ArF Dry Photoresist 개발 | SK Hynix 반도체, SK Hynix 중국우시공장 등에 D35nm~D25nm ,F20nm~F16nm, 3D-NAND용 ArF Dry PR로 양산라인에 최대 10억/월 공급 중, D18nm M2/SPC ArF Dry POR 선정됨 | DHA-HD150,DHA-HF200,DHA-3038,DHA-HD235,DHA-HD1104 |
| ArF Immersion Photoresist 개발 | SK Hynix 반도체,SK Hynix M11/M10/C2 향 제품 개발완료. F1x L/S layer에 2015/5월 진입 예정, 차세대 Topcoatless ArF immersion PR개발 을 위한 SK-Hynix와 JDP 추진 중 | DHA-H2005, DHA-HW3001 |
| ArF Immersion NTD 공정용 유기 반사방지막 개발 | ArF Immersion Negative Tone Development 공정용 반사방지막 제품, SK 하이닉스 반도체 연구소 공급 개시 | DARC-N034 |
| KrF Implant용 반사 방지막 개발 | KrF Implant 공정용 High Etch Rate 반사 방지막 제품, 삼성전자 연구소 공급 중 | DJEF-0115 |
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