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中 DDR5 생산… 삼성, 기술력 파악 나서

파이낸셜뉴스 2025.01.22 18:28 댓글0

반도체 격차 좁히는 속도 빨라져
선단 제품서도 韓기업 추격 위기


레거시(범용) D램 분야에서 중국 메모리 업체의 거센 추격을 받고 있는 삼성전자가 중국 선단 제품 개발 및 양산 동향 파악에 나선다. 특히 중국 대표 메모리사 창신메모리(CXMT)가 10나노미터(1nm=10억분의1m)급 D램 공정 중 D1z(16나노 이하)를 적용해 최근 제품 양산에 나섰다는 소식이 전해지자, 중국의 반도체 추격 속도를 파악하고자 이같은 결정을 내린 것으로 보인다. 중국 메모리사의 저가 공세로, 향후 선단 제품에서도 경쟁이 심화될 수 있는 위기감이 커지고 있는 것으로 전해졌다.

22일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 중국 CXMT가 선단 공정인 10나노미터급 D램 공정 중 D1z를 활용해 더블데이트레이트5(DDR5)를 양산하고 있는 것으로 보고 동향 파악에 나섰다. 반도체 업계의 '초격차' 기술 경쟁이 점차 심화되면서, 삼성전자를 비롯한 반도체 기업들이 경쟁사 기술력 파악에도 많은 힘을 쏟고 있다. 이번 삼성전자의 중국 메모리사 기술력 파악 움직임도 그 일환으로 풀이된다.

10나노급 D램 공정은 D1x→D1y→D1z 순으로 회로 폭이 좁아진다. 회로 폭이 좁아지면 같은 면적에 더 많은 셀(데이터 저장 단위)을 집적할 수 있어 밀도를 높이고, 전력 소모를 줄일 수 있다. 이후 세대인 D1a부터 D1b, D1c는 차세대 공정으로 불린다. 업계에서는 D1x(18나노), D1y(17나노) 수준의 기술력으로 제품을 생산 중이었던 CXMT가 D1z 공정 도입에 본격 착수했다면, 그만큼 기술 격차를 빠르게 좁혔다는 것으로 보고 있다.

앞서 CXMT는 차세대 D램 규격인 DDR5를 양산해 업계에 충격을 안겼다. 성능 측면에서 아직 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 제품과 차이가 있지만, CXMT가 기술을 개발해 양산하는 속도가 생각 이상으로 빠르다는 의견이 지배적이었다. CXMT는 적극적으로 선단 공정을 적용하며 DDR5 제품의 성능을 개선하는 데 집중할 것으로 보인다.

업계 관계자는 "CXMT 개발 속도로 보면, 향후 차세대 공정인 D1a, D1b, D1c 개발 및 적용도 가능해질 수 있다는 의미로 해석된다"며 "더 이상 중국 메모리사를 가볍게 볼 수 없다고 삼성 내부에서도 생각하고 있다"고 설명했다.

악재가 겹친 상황에서 삼성전자는 '초격차 기술력'을 해법으로 꼽고 기술 격차 벌리기에 총력을 다하고 있다. 삼성전자는 5세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM3E 양산의 발목을 잡고 있는 요인 중 하나로 지적된 10나노 4세대(D1a) D램의 재설계 결정도 내린 바 있다.




임수빈 기자

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